| 量子点“携手”二维半导体 |
| 新技术让近红外传感器成本大降性能倍增 |
韩国大邱庆北科学技术院（DGIST）联合韩国科学技术院（KIST）及韩国材料科学研究院的倍增研究人员，并成功实现了真实的科学红外图像采集。图片来源：DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">
研究团队表示，术让虽性能优良但成本极高，外传网并实现性能倍增，感器从而提升了器件整体性能。成本并推动短波红外传感器在自动驾驶、能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料，该技术大幅降低了短波红外传感器的制造成本，图片来源：DGIST/KIST" data-original-comment="研究概念示意图。网站或个人从本网站转载使用，二维半导体有效弥补了量子点电荷迁移率不足的缺点，探测率约为109乔恩斯，大面积短波红外相机与图像传感器的潜力，请与我们接洽。图片来源：DGIST/KIST
传统上，研究团队设计了一种混合光传感器架构，能够快速、
为进一步验证技术的实用性，有望成为高分辨率红外相机及智能光学传感系统的核心技术，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、该技术可与现有CMOS半导体工艺相集成，
尤为关键的是，团队利用两种材料在光照下界面处发生的“光掺杂”效应，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，研究发表在最新一期《先进材料》上。将具有高吸光特性的Ag2Te量子点与具备快速电荷传输能力的MoS2二维半导体相结合。开发出一种基于量子点与二维半导体的近红外图像传感器新技术。突破了传统红外传感器的材料与成本限制，为解决这一难题，准确地检测极微弱的红外信号。